姓名:王晓东
单位:中国科学院半导体研究所
职务:研究员
王晓东,男,博士,研究员,博士生导师。
2001年毕业于中科院半导体所获博士学位,研究方向为长波长自组织In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长。2001年到2002年,日本国立神户大学Venture Business实验室,讲师、研究机关研究员身份,主要进行了III-V族异质结构的研究。2002年到2004年,在瑞典chalmers工学院微技术与纳米科学系(MC2)光子学实验室做博士后研究,主要研究长波长自组织In(Ga)As量子点激光器和GaInNAs量子阱激光器。2004年到现在任职于中科院半导体所集成技术工程研究中心,主要负责多种微纳器件加工及高质量光学膜技术等;研究领域涉及半导体量子点光电器件,相变存储器件,高效太阳能电池,纳米热电器件等。
近年主要科研成果:在半导体量子点器件研究方面,研制出量子点场效应管光电探测器件,发现器件的负微分电阻等现象并提出了物理模型。在高效多结太阳能电池方面,研究了III-V电池的制备工艺及其优化技术,并且进行了纳米陷光结构研究,所获成果被同行多次引用。在光学膜应用方面,成功改善多种光电器件的性能,如明显提升大功率LED的出光效率等。同时,还负责了大量对外工艺服务项目,涉及国内外多家研究机构,大学,及公司企业等,内容包含了微电子、光电子等众多领域,积累了丰富的技术经验。完成与在研多项国家自然科学基金、863、973等科研项目,在国内外核心期刊发表论文60余篇,培养博士、硕士多名。